વિકાસ માટેની માર્ગદર્શિકા નોન-હેલોજન ફ્લેમ રિટાડન્ટ FR4 શીટ કોપર ક્લેડ લેમિનેટ

વૈશ્વિક પર્યાવરણીય સંરક્ષણ કડક આવશ્યકતાઓની પરિસ્થિતિ હેઠળ, 1990 ના દાયકાના મધ્યમાં હેલોજન-મુક્ત PCB સબસ્ટ્રેટ સામગ્રીનો ઝડપથી વિકાસ અને વિકાસ થયો છે. હેલોજન-મુક્ત FR4 શીટ કોપર-કવર્ડ પ્લેટ ઉત્પાદન ટેકનોલોજીનો વિકાસ આજે અને ભવિષ્ય માટે પણ કોપર કવર ઉદ્યોગ માટે એક મહત્વપૂર્ણ મુદ્દો બની ગયો છે. આ લેખ હેલોજન-મુક્ત FR-4 કોપર-કવર્ડ પ્લેટોના વિકાસ દિશાની ચર્ચા કરવા માટે જાપાનની વિકાસ પ્રક્રિયાને ઉદાહરણ તરીકે લે છે. હેલોજન-મુક્ત FR-4 કોપર-કવર્ડ પ્લેટોના વિકાસની ચાવી હેલોગ્લાઇઝ્ડ રેઝિન છે.

  1. વિકાસ વિચારો

  હેલોજન-મુક્ત FR-4 કોપર-આચ્છાદિત પ્લેટોના વિકાસની ચાવી હેલોગ્લાઈઝ્ડ રેઝિન છે

  ઉત્પાદન તકનીકનો વિકાસ

  a) ત્રણ સ્તરો

  હેન્ડલાઇઝ્ડ FR-4 કોપર કવરિંગ પ્લેટ જાપાનમાં તકનીકી સ્તરેથી જાપાનમાં વિકસાવવામાં આવી છે

  કોષ્ટક 1 માં બતાવ્યા પ્રમાણે તેને ત્રણ સ્તરોમાં વિભાજિત કરી શકાય છે.

i. જાપાનના CCL ઉત્પાદકોએ 1990 ના દાયકાના મધ્યથી 1998 સુધી "હોરિઝોન્ટલ i" હેલોજન-મુક્ત FR4 શીટ ઉત્પાદનોનો વિકાસ કર્યો. આ પ્રકારનું CCL સામાન્ય માનક કામગીરીની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે. તે ફક્ત જાપાનના સ્થાનિક PCB ઉત્પાદકોમાં જ નહીં, પણ યુરોપમાં ઘણા મોટા પાયે ઇલેક્ટ્રોનિક મશીન ઉત્પાદનો ઉત્પાદકોમાં પણ ચોક્કસ એપ્લિકેશન ધરાવે છે. ઉદાહરણ તરીકે: સપ્ટેમ્બર 1999 માં સ્વીડનમાં આયોજિત "ઇન્ટરનેશનલ હેમરેડ મટિરિયલ્સ" કોન્ફરન્સ અને સપ્ટેમ્બર 2000 માં જર્મનીના બર્લિનમાં આયોજિત "ઇલેક્ટ્રોનિક્સ ગ્રીન" પર એક મોટી આંતરરાષ્ટ્રીય કોન્ફરન્સમાં, તે બધા જાપાનમાં હતા. હેલોજન-મુક્ત FR-4 કોપર-કવર્ડ પ્લેટના પ્રદર્શને સકારાત્મક મૂલ્યાંકન અને માન્યતા આપી છે, પરંતુ તે એ પણ નિર્દેશ કરે છે કે ભીનાશનો અભાવ એ છે કે "ભેજ પ્રતિકાર હજુ પણ એક સમસ્યા છે કે આ સામગ્રીનો ભવિષ્યમાં અભ્યાસ ચાલુ રહેશે." આ તબક્કે, ફોસ્ફેટ સંયોજનો અને ઇપોક્સી રેઝિન સંશ્લેષણ તકનીકમાં નિપુણતા કેટલાક ઉત્પાદકોમાં ખૂબ ઊંડી નથી, તેઓ ફક્ત ઉમેરણ પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરીને જ્યોત મંદતા પ્રાપ્ત કરે છે જેથી ચોક્કસ ગુણધર્મો જેમ કે ઓછી ભેજ પ્રતિકાર.

  i જાપાનની હેલોજન-મુક્ત FR-4 ની અત્યાધુનિક તકનીકો હવે કોષ્ટક 1 માં દર્શાવેલ "હોરિઝોન્ટલ II" સ્ટેજ પર વિકસાવવામાં આવી છે. કેટલાક CCL ઉત્પાદકો આવા બોર્ડના એકંદર પ્રદર્શન સંતુલનમાં સુધારો કરે છે, ખાસ કરીને પ્રક્રિયાક્ષમતા સહિત એપ્લિકેશન કામગીરીમાં. હાલમાં, જાપાન અને વિશ્વના અન્ય દેશોમાં ઘણા ઉત્પાદકોએ હેલોજન-ફ્રી FR-4 કોપર-કવર્ડ પ્લેટ મેન્યુફેક્ચરિંગ ટેક્નોલોજીમાં નિપુણતા પ્રાપ્ત કરી છે, પરંતુ તેમની પાસે એપ્લિકેશન કામગીરી, ખાસ કરીને પ્રોસેસિંગ કામગીરીમાં ચોક્કસ તફાવત છે.

  ii. ઘણા વિદેશી CCLs અને PCB નિષ્ણાતો આગાહી કરે છે કે ભવિષ્યમાં હેલોજન અને ફોસ્ફરસ મુક્ત ન હોય તેવા "હોરીઝોન્ટલ III" ઉત્પાદનો સંશોધન અને વિકાસની દિશા છે. આ મુખ્યત્વે પેનલની ભીનાશ અને ગરમી પ્રતિરોધક જરૂરિયાતો પર આધારિત છે, અને ફોસ્ફરસ આધારિત 30 વિશ ડેટોંગ: હેન્ડલાઇઝ્ડ FR-4 કોપર-કવર્ડ પ્લેટ ડેવલપમેન્ટ પ્રોગ્રેસ 2002NO. 4 Doi: 10.16790 / J. CNKI. 1009-9239. હું છું. 2002.04.009 માં, પર્યાવરણને બાળી નાખવા દરમિયાન ગેસ દ્વારા ઉત્પન્ન થયેલ ગેસ અને ઉત્પાદનના રિસાયક્લિંગ અને ઉત્પાદનના રિસાયક્લિંગની જરૂરિયાતો પ્રસ્તાવિત કરવામાં આવી હતી. હાલમાં, તે જાપાન, યુરોપ, યુનાઇટેડ સ્ટેટ્સ, તાઇવાન અને અન્ય દેશો અને પ્રદેશોમાં સક્રિયપણે હેલોજન-મુક્ત અને નોન-ફોસ્ફરસ FR-4 રેઝિન સિસ્ટમ્સ વિકસાવી રહ્યું છે. જ્વાળા પ્રતિરોધક પ્રક્રિયાઓ હાંસલ કરવા માટે, મુખ્ય માર્ગો અપનાવવામાં આવે છે: ફેનોલિક રેઝિન (સિસ્ટમમાં ઉપચાર એજન્ટ તરીકે) અથવા ઇપોક્સી રેઝિન માટે નાઇટ્રોજન અથવા જાડા રિંગ સ્ટ્રક્ચર્સ દાખલ કરવા; ; સંશોધિત ઇપોક્સી રેઝિન, જેમ કે નેનો-મટીરિયલ ટેક્નોલોજી, વગેરે.

  b) બે સંતુલન

  સામાન્ય રીતે એવું માનવામાં આવે છે કે હેલોજન-મુક્ત કોપર પ્લેટોના વિકાસની મુશ્કેલી એ ઇપોક્સી ગ્લાસ ફાઇબર-ફાઇબર B & PL (એટલે ​​​​કે, સામાન્ય રીતે FR-4 CCL નો સંદર્ભ લો) ની મહત્તમ છે. આ મુખ્યત્વે એટલા માટે છે કારણ કે તેની એપ્લિકેશન આવશ્યકતાઓ ઉચ્ચ અને વ્યાપક છે, અને વિકાસમાં, આપણે દરેક પ્રદર્શન વચ્ચે સંતુલન અને ખર્ચ અને પ્રદર્શન વચ્ચેના બે સંતુલનને સમજવું જોઈએ. ઉચ્ચ જ્યોત રેટાડન્ટ હાંસલ કરવા માટે, રેઝિન સિસ્ટમમાં મુખ્ય રેઝિન, મુખ્ય જ્યોત રેટાડન્ટ, સંકલિત જ્યોત રિટાડન્ટ અને ક્યોરિંગ એજન્ટ દ્વારા ઉત્પાદિત "જ્યોત રેટાડન્ટ" પર આધાર રાખવો જરૂરી છે. વિવિધ ઘટકોની પસંદગી દરેક કામગીરી વચ્ચે સંતુલન હાંસલ કરવા માટે ઉપચારના સંતુલન પર આધારિત હોવી જોઈએ. ચોક્કસ કામગીરી હાંસલ કરવા અને સુધારવા માટે તે મૂળ FR-4 ના મૂળ પ્રદર્શનને ઘટાડી શકતું નથી. ખર્ચ અને કામગીરી વચ્ચે સંતુલન સમસ્યા એ છે કે શું મોટા પાયે ઔદ્યોગિકીકરણના વિકાસના વિકાસ દ્વારા વિકસિત ઉત્પાદન વિકાસની શરૂઆતમાં તેને ખૂબ મહત્વ આપવું જોઈએ. ટૂંકમાં, FR-4 તાંબાથી ઢંકાયેલ પ્લેટને હેલોગલાઈઝ કરવાની સમગ્ર વિકાસ પ્રક્રિયા વાસ્તવમાં ઉપરોક્ત બે સંતુલન સમસ્યાઓ ઉકેલવાની પ્રક્રિયા છે.

  c) મુશ્કેલ સમસ્યા

  હાલમાં, હેલોજન-મુક્ત FR-4 કોપર-કવર્ડ પ્લેટ રેઝિનનો મુખ્ય પ્રવાહ છે: જ્યોત રેટાડન્ટ ફોસ્ફરસ-નાઇટ્રોજન સિસ્ટમ છે મુખ્ય રેઝિન ફોસ્ફરસ સંયોજનોથી બનેલું ફોસ્ફરસ ઇપોક્સી રેઝિન છે. વિકાસ પ્રક્રિયા દરમિયાન આ ફોસ્ફરસ-સમાવતી રેઝિન જે સમસ્યાનો ઉકેલ લાવવી જોઈએ તે હાઇડ્રોલિસિસ અને ઓછા રાસાયણિક પ્રતિકારની સમસ્યા છે. JPFR-4 સબસ્ટ્રેટ સામગ્રીનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે મલ્ટિ-લેયર બોર્ડ ઉત્પાદન માટે થાય છે. મલ્ટિ-લેયર બોર્ડના ઉત્પાદનમાં, તે કાળા કરવા, ડ્રિલિંગ દૂર કરવા અને ઇલેક્ટ્રોપ્લેટિંગ પ્રક્રિયા પ્રક્રિયાઓ માટે જરૂરી છે. આ પ્રક્રિયા અને પ્રક્રિયામાં, મોટાભાગના રાસાયણિક દ્રાવણમાં મજબૂત એસિડ, મજબૂત આલ્કલી અને મીઠું હોય છે તેથી સબસ્ટ્રેટ સામગ્રીમાં સારી રાસાયણિક પ્રતિકાર હોવી આવશ્યક છે. જો રાસાયણિક પ્રતિકાર નબળો હોય, તો આ ઔષધીય પ્રવાહીની નીચલી પ્લેટ (મુખ્યત્વે ફોસ્ફરસના વિસર્જનનો ઉલ્લેખ કરે છે) નું વિસર્જન બોર્ડના ઇન્સ્યુલેટીંગ સ્તરના દેખાવ અને પ્રભાવને અસર કરશે. બે સંતુલન હાંસલ કરવા માટે "આડા Ⅱ" પગલાં સુધી પહોંચવા માટે તે હેલોજન-મુક્ત FR-4 કોપર-આચ્છાદિત પ્લેટ વિના આ મુશ્કેલીને હલ કરે છે.

  2. ફોર્મ્યુલા અને પ્રક્રિયા

ફોસ્ફરસ-સમાવતી અને નાઇટ્રોજન-મુક્ત FR-4 કોપર-આચ્છાદિત પ્લેટો મુખ્યત્વે ફોસ્ફરસ-સમાવતી જ્યોત રેટાડન્ટ ઇપોક્સી રેઝિનના ત્રણ મુખ્ય પાસાઓથી બનેલી છે જેમાં નાઇટ્રોજન-સમાવતું ફિનોલિક રેઝિન ક્યોરિંગ એજન્ટ આ ત્રણ પાસાઓમાં વિકાસની સામગ્રી અને વિકાસનું ધ્યાન અલગ અલગ છે. .

  a) ફોસ્ફરસ - જ્યોત રેટાડન્ટ ધરાવતું

  વધારાના ફોસ્ફરસ ધરાવતી જ્યોત રેટાડન્ટ બનાવવા માટે રેઝિન ક્યોરિંગના પાણીના પ્રતિકાર, રાસાયણિક પ્રતિકાર અને ગરમીના પ્રતિકારને ઘટાડતા નથી, ફિલિપાઈન ફોસ્ફરસ સંયોજનો અને CCL ઉત્પાદકોના કાર્બનિક કઠોર સંયોજનોનો વિકાસ અથવા ઉપયોગ.

  i ફિલિપાઈન ફોસ્ફેટ સંયોજન

  ફોસ્ફરસ ફોસ્ફરસ એ રિંગ ઓર્ગેનિક ફોસ્ફરસ સંયોજનનો એક પ્રકાર છે. પ્રતિક્રિયાશીલ-પ્રકારની જ્યોત રેટાડન્ટ્સ બનવા માટે તેને ઇપોક્સી રેઝિન અને ફિનોલિક રેઝિન વડે ઉપચાર કરી શકાય છે. હાલમાં, બે જાતો (ઔદ્યોગિક) છે જે CCL માટે વધુ યોગ્ય છે, જેમ કે: DOPO અને ODOPB 1 4-બેન્ઝીન-Diol. આકૃતિ 1 આ બે ફોસ્ફેટ સંયોજનોના પ્રક્રિયા માર્ગો અને તેમના રાસાયણિક બંધારણો દર્શાવે છે.

  કૃત્રિમ પ્રતિક્રિયા પ્રક્રિયા દરમિયાન ચાર પ્રકારના જેનરિક છે: CDOP, HPPA, DOPO અને ODOPB. DOPO અથવા ODOPB ના રૂપાંતરણ દર અને શુદ્ધતા કેવી રીતે વધારવી તે કૃત્રિમ ફોસ્ફેટ સંયોજન તકનીકની ચાવી છે. જાપાનની સાંગુઆંગ કેમિકલ કંપની દ્વારા બનાવવામાં આવેલી DOPO બ્રાન્ડ HCA Odopbની બ્રાન્ડ છે. PHQ વધુ HCA નો ઉપયોગ કરે છે. HCA નો દેખાવ સફેદ પાવડર અથવા 1.373 ગલનબિંદુ 118 ° C ઉત્કલન બિંદુ 200 ° C ની સાપેક્ષ ઘનતાનો પાતળો ભાગ છે. ઇન્ફ્રારેડ સ્પેક્ટ્રમના ઇન્ફ્રારેડ સ્પેક્ટ્રમ નક્કી કરવા માટે DOPO અને ODOPB બંનેને નિષ્ણાતોનો સારો પ્રતિસાદ છે: DOPO ના P -H કાર્યાત્મક આધાર ધરાવે છે. IR સ્પેક્ટ્રમ 2384cm -1 ની સ્થિતિમાં સ્પષ્ટ શોષણ શિખરો. એ જ રીતે, જ્યારે ODOPB ની રચના થાય છે, ત્યારે 3173cm -1 ની સ્થિતિ પર એક મજબૂત શોષણ શિખર હોય છે તે સાબિત કરવા માટે કે તે ફિનોલિક -OH કાર્યાત્મક આધાર ધરાવે છે.

b) ઓક્સાઇડ

  ઓક્સાઇડ એ એક અથવા વધુ ફોસ્ફરસ -કાર -કાર (P -C) કીઓ સાથેનું કાર્બનિક ફોસ્ફરસ સંયોજન છે. ફોસ્ફરસ ડેરિવેટિવ્ઝના -3 વિડીયોની લાક્ષણિકતાઓ ખૂબ જ જીવંત સંયોજનો છે. આ પ્રકારના સંયોજનમાં અંકલ ઓક્સાઇડની બે જાતો CCL રેઝિન માટે વધુ યોગ્ય છે. ટ્રિફેનલી ફોશિંક ઓક્સાઇડ જેને ટીપીઓ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે) બીજો એક પ્રતિક્રિયાશીલ પ્રકાર છે જેમાં એનએચ 2 સ્ટ્રક્ચર્સ હોય છે: ત્રણ (4-કપલેટ ફેનીલાઇન) ઓક્સાઇડ [Tris- (4-AMINOBIPHENYL) ફોશિંક ઓક્સાઇડ જેને TAPO તરીકે ઓળખવામાં આવે છે].

એન્ટોક્સાઇડ ઓક્સાઇડ એ સારા હાઇડ્રોફિલિક અને ઉચ્ચ-દવા પ્રતિકારના ફાયદા છે. થોડા વર્ષો પહેલા, સામાન્ય રીતે એવું માનવામાં આવતું હતું કે રેઝિન સિસ્ટમ માટે હેલોજન-મુક્ત FR-4 કોપર-કવર્ડ પ્લેટ તરીકે એડ ફોસ્ફરસ ફ્લેમ રિટાડન્ટનો ઉપયોગ કરવાથી કેટલીક કામગીરીમાં ઘટાડો થશે. બેઝિસ ઓક્સાઇડ (TPO) દ્વારા ઉત્પાદિત હેલોજન-મુક્ત FR4 ફાઇબરગ્લાસ શીટ CCL એ વિવિધ કામગીરી આવશ્યકતાઓ (ખાસ કરીને દવા પ્રતિકાર) પ્રાપ્ત કરી છે. આ એક નવીનતા છે.

c) ફોસ્ફરસ - ઇપોક્સી રેઝિન ધરાવતું

  ઉપરોક્ત ફિલિપાઈન ફોસ્ફેટ સંયોજનો DOPO, ODOPB અને ટેપો ઓક્સાઇડ TAPO બધા ફોસ્ફરસ ધરાવતા ઇપોક્સી રેઝિન પેદા કરવા માટે ઇપોક્સી રેઝિન સાથે પ્રતિક્રિયા કરી શકે છે. નીચેના DOPO (એટલે ​​​​કે, HCA) અને ઇપોક્સી રેઝિનની પ્રતિક્રિયા રજૂ કરે છે. DOPO પર સક્રિય હાઇડ્રોજન ફોસ્ફરસ ઇપોક્સી રેઝિન પેદા કરવા માટે ઇપોક્સી રેઝિન પર ઇપોક્સી બેઝ સાથે ક્રોસ-લિંક્ડ પ્રતિભાવને પ્રતિસાદ આપી શકે છે. આકૃતિ 2 ડીઓપીઓ અને ટાઇટોલ ફિનોલિક ઇપોક્સી રેઝિનનો પ્રતિક્રિયા પ્રકાર બતાવે છે.

  ટોંગડુના ઘણા પાસાઓ દ્વારા વિવિધ પ્રયોગો દ્વારા નીચેના તારણો મેળવવામાં આવે છે: (1) DOPO પ્રતિક્રિયા માટે યોગ્ય ઇપોક્રીસ રેઝિનનાં પ્રકારો છે: ફિનોલ -ફેનોલિક ઇપોક્સી રેઝિન (EPN), ટોન ફિનોલ -ટાઇપ ફિનોલિક ઇપોક્સી રેઝિન આલ્કિલ ફિનોલિક ઇપોક્સી. રેઝિન, સ્ટાયરીન ફિનોલાઈઝ્ડ ઈપોક્સી રેઝિન અને ફિનોલિન ફિનોલિક ઈપોક્સી રેઝિન. (2) ઉત્પાદિત ફોસ્ફરસમાં ફોસ્ફરસનું પ્રમાણ - ઇપોક્સી રેઝિન તેના ઉપચારના 0.8WT % થી 8WT % છે. (3) 20% થી વધુ ફિનોલિક ઇપોક્સી રેઝિન ઇપોક્સી રેઝિનમાં હોવું આવશ્યક છે, અન્યથા આ ઇપોક્સી રેઝિન સિસ્ટમની ક્રોસ-લિંકિંગ ઘનતા ગરમી પ્રતિકાર, સંલગ્નતા અને ઉપચારની ઘનતા ઘટાડશે. ડાયનેમિક્સ.

  પ્રતિક્રિયા પ્રક્રિયામાં જાપાનીઝ ઉત્પાદકો દ્વારા વિકસિત પ્રક્રિયાઓ અલગ છે. ઉદાહરણ તરીકે, ટોંગડુની સંશ્લેષણ પ્રક્રિયાને બે તબક્કામાં વહેંચવામાં આવી છે: પ્રથમ, ઇપોક્સી રેઝિન અને ઉત્પ્રેરક ટ્રાઇટેનોફિલ્સ વધુ ક્રોસ-લિંકિંગ પ્રતિક્રિયાઓમાં DOPO ઉમેરતા પહેલા 150 ° સે પર પ્રતિક્રિયા આપે છે. પેનાસોનિક ઇલેક્ટ્રિસિટી કંપનીના પેટન્ટમાં રજૂ કરવામાં આવેલી પ્રક્રિયા એ એક-પગલાની પ્રતિક્રિયા છે: DOPO (અથવા ODOPB) એ ઇપોક્સી રેઝિન સાથે ઉત્પ્રેરક ડાયહાઇડ્રેમિયમ એમોનિયમ ક્લોરિન સંયોજનોની હાજરી હેઠળ છે (મલ્ટિ-ઓફિશિયલ એનર્જી બેઝ રિંગ ઓક્સિજન રેઝિન સબ-મિથાઇલ સ્ટ્રક્ચરને બાદ કરતાં. ) પ્રતિક્રિયાઓ માટેની પ્રક્રિયા શરતો 90 ℃ ～ 120 ℃ 4h ～ 7h છે.

  આ પ્રકારના રેઝિન સંશ્લેષણની ચાવી એ છે કે DOPO એ સંપૂર્ણપણે ઇપોક્સી રેઝિન સાથે પ્રતિક્રિયા આપવી જોઈએ. જો પ્રતિક્રિયાની સ્થિતિ યોગ્ય ન હોય તો, DOPO જે પ્રતિભાવવિહીન રહેશે. અને આ રેઝિનથી બનેલી FR-4 કોપર-કવર પ્લેટની TG અને કોપર ફોઇલ નોંધપાત્ર રીતે વધુ ખરાબ છે. તેથી, પ્રદર્શન વચ્ચે સંતુલન સુનિશ્ચિત કરવા માટે DOPO ના પ્રતિક્રિયા દરમાં વધારો એ એક મહત્વપૂર્ણ માધ્યમ છે. પ્રતિક્રિયાના અંતની નિયંત્રણ પદ્ધતિ એ તેના ઇપોક્સી (JIS7236-1995 ધોરણ મુજબ) માપવા માટે નમૂનાનું માપ લેવાનું છે. જો પ્રતિક્રિયા પ્રતિક્રિયા સૈદ્ધાંતિક મૂલ્યના 99% કરતા વધુ હોય, તો DOPO અને ઇપોક્સી રેઝિન સંપૂર્ણ રીતે પ્રતિક્રિયા આપી શકે છે. વધુમાં, ઇપોક્સી રેઝિનની એસિડ કિંમત અને ડીઓપીઓ (લિક્વિડ ક્રોમેટોગ્રાફી) ની અવશેષ રકમ નક્કી કરીને પ્રતિભાવ સ્તર નક્કી કરી શકાય છે.

ઇપોક્સી રેઝિન પ્રકારોની પસંદગીમાં, જાપાની પેનાસોનિક ઇલેક્ટ્રિક DOPO સાથે પ્રતિક્રિયા કરીને ત્રણ ફોસ્ફરસ ઇપોક્સી રેઝિન રચનાઓ બનાવે છે તે માટે સબ-મિથાઇલ સ્ટ્રક્ચર વિના બહુ-ઊર્જા-સક્ષમ ગરમી-પ્રતિરોધક ઇપોક્સી રેઝિનનો ઉપયોગ કરે છે. આકૃતિ 3 માં બતાવવામાં આવ્યું છે. ઇપોક્સી રેઝિન રચનામાં, કોઈ સબ-બેઝ (-CH 2-) ન હોવાથી, બેન્ઝીન રિંગ વચ્ચેનું જોડાણ પરમાણુ દરમાં બેન્ઝીન રચનાની ટકાવારી વધારે છે જેથી ઊંચા તાપમાને ઊંચા તાપમાને ગરમી પ્રતિકારની સમસ્યા ટાળી શકાય. FR4 શીટ CCL ને ઉચ્ચ ગરમી પ્રતિકાર (TG ＞ 190 ° C) મેળવવાથી ઉત્પન્ન થાય છે.

3. નિષ્કર્ષ

  a) મોટી સંખ્યામાં પ્રાયોગિક કાર્ય દ્વારા, N અને P-આકારના સિલિકોન વેફર્સનો સંપર્ક ઝોન વિવિધ P-આકારના સિલિકોન વેફર્સ સાથે અલગ-અલગ ફિલર્સ ઉમેર્યા પછી. હકારાત્મક ચાર્જ લાવો SP + 5 % Al 2 O 3 નેગેટિવ ચાર્જ લાવવાનું સરળ છે.

  b) કોન્ટેક્ટ બેન્ડ ચાર્જિંગ સિક્વન્સના નિયમો સૂચવે છે કે ઇન્સ્યુલેશન પ્રોટેક્શન મટિરિયલ અને વિવિધ સિલિકોન વેફરનો સંપર્ક એ આવશ્યકપણે સુરક્ષા સામગ્રીના પ્રકાર અને સિલિકોન વેફરની સપાટીનો સંપર્ક છે. ટેબ્લેટની ઓક્સિડેશન ફિલ્મ અથવા પેસિવેશન ફિલ્મ ચાર્જ કરેલ ક્રમમાં સિલિકોન વેફરનું સ્થાન નક્કી કરે છે.